第十六章 吸潮对SiO2薄膜应力的影响
- 分类：工艺讲堂
- 作者：工艺部
- 来源：成都国泰真空设备有限公司
- 发布时间：2022-02-07
- 访问量：563
【概要描述】在很多日常镀膜中，控制膜裂和面型的主要手段之一就是调控SiO2薄膜的应力。
第十六章 吸潮对SiO2薄膜应力的影响
【概要描述】在很多日常镀膜中，控制膜裂和面型的主要手段之一就是调控SiO2薄膜的应力。
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SiO2透明区很长，一直延伸到真空紫外（0.18~8μm）。SiO2光吸收很小，力学性能和化学性能稳定，应用范围很广，是薄膜制备中最常用的唯二低折射率材料之一。
在很多日常镀膜中，控制膜裂和面型的主要手段之一就是调控SiO2薄膜的应力。比如前面章节中提到的IRCUT薄膜，如果采用电子束蒸发TiO2/SiO2的方式镀膜，最常出现的品质问题之一就是膜裂。调节膜裂的有效手段之一就是调节SiO2薄膜的镀膜工艺。通过改变SiO2薄膜的蒸发工艺来改变应力匹配，进而来控制膜裂。
实际批量生产中会发现这样一种现象：刚出炉时薄膜是完好的，但放置一段时间后，不仅薄膜的面型会发生变化，而且可能出现膜裂。这里面的一个关键因素就是SiO2薄膜在大气中久置会由于吸潮而发生应力变化。
本节讨论吸潮对SiO2薄膜应力的影响。
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第十七章 制备工艺对SiO2薄膜应力的影响
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