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第四章 低吸收高反膜的设计与制备

  • 分类:工艺讲堂
  • 作者:工艺部
  • 来源:国泰真空
  • 发布时间:2021-03-24
  • 访问量:256

【概要描述】但实际镀膜情况往往会偏离理论,其中影响很大的因素的是薄膜的吸收和散射。本期将会以三种传统高反膜结构((HL)^S H,(HL)^S L,(HL)^S)为例,讲解薄膜的整体吸收和吸收分布情况,以及如何控制吸收;这些理念可以很自然的扩展至强激光薄膜。

第四章 低吸收高反膜的设计与制备

【概要描述】但实际镀膜情况往往会偏离理论,其中影响很大的因素的是薄膜的吸收和散射。本期将会以三种传统高反膜结构((HL)^S H,(HL)^S L,(HL)^S)为例,讲解薄膜的整体吸收和吸收分布情况,以及如何控制吸收;这些理念可以很自然的扩展至强激光薄膜。

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22期中介绍了介质高反膜反射率的估算公式,并对影响反射率的几大因素从理论上进行了分析和讨论,同时也对比了三种不同膜系结构的反射率优劣情况。

但实际镀膜情况往往会偏离理论,其中影响很大的因素的是薄膜的吸收和散射。本期将会以三种传统高反膜结构((HL)^S H(HL)^S L(HL)^S)为例,讲解薄膜的整体吸收和吸收分布情况,以及如何控制吸收;这些理念可以很自然的扩展至强激光薄膜。

在下文讲解中,会涉及到驻波场,电场分布,节瘤和损伤阈值等概念。

传统高反膜堆的吸收损耗

  薄膜的吸收损耗是薄膜材料的一种属性,可以是材料的本征吸收,也可能是由于杂质或者化学成分结构的缺陷造成,吸收损耗反应在复折射率的虚部,即为消光系数

对于常规弱吸收薄膜,且是层数足够多的高低折射率交替的1/4波堆,当膜堆形式为(HL)^S H以及(HL)^S L,其吸收损耗为

图片1.png     1

当膜堆形式为(HL)^S,其吸收损耗为

图片2.png        2

可以看到,高反膜最后一层L时,吸收损耗较大。最后一层为H2L时具有较低的吸收损耗。

利用上述公式时,需要注意三点。一,上述计算的前提是,膜层数足够多。二,吸收损耗是波长的函数,即不同波长的吸收损耗是不一样的。三,所计算的吸收损伤是整体光谱在宏观上的表现。

基于电场的吸收损耗分布

利用上述公式计算得到的吸收损伤是整体光谱在宏观上的表现。比较严重的吸收,可以用光谱法测量出来;比较微弱的吸收,则需要借助光热透镜法进行测试。

宏观表象的吸收,实际是膜层吸收和电场强度乘积的整体表现。由于膜层内存在振幅高低起伏的驻波场,使得薄膜内不同位置的吸收表现不一样。当强激光辐照薄膜时,薄膜总是在某一特定的位置诱发损伤,就是这个原因。

下面通过示例图进行比较三种膜系结构下的吸收大小以及分布情况。在示例中,基板为Glass, nH=2.35nL=1.46n0=1.0kH和kL分别是高低折射率的消光系数。

示例1HL^,消光系数kH分别为0和0.01

图片3.png 

黑粗线为高折射率消光系数为0.01的高反光谱,浅色线为没有吸收的光谱。可以发现,吸收会造成高反带反射率降低,且长波处反射率降低的幅度更大,这是吸收对高反带造成影响的典型特征,可以作为判定薄膜有吸收的依据。

图片4.png 

给出了薄膜内的驻波场分布。S为基板,M为空气。可以发现,电场峰值出现膜层交界处,越靠近空气,电场峰值越大。本例中只假设了高折射率材料有吸收,因此,薄膜总吸收正比于上图中绿色部分的面积和。越靠近空气侧,膜层对应的绿色面积越大,意味着此膜层对整体吸收的贡献越大。在上图中,第11层薄膜是高折射率材料,其电场分布最大,贡献的吸收也最大。在不考虑节瘤等影响因素的情况下,薄膜受大功率激光辐照时,此层最容易诱发损伤。同样可以看到,如果最外层低折射率膜层出现了吸收,其危害程度将远超高折射率材料造成的吸收。 

示例2:HL^H,消光系数kH分别为0和0.01

图片5.png 

黑粗线为高折射率消光系数为0.01的高反光谱,浅色线为没有吸收的光谱。可以发现,由于H层比示例1多,所以高反带具有更高的反射率;类似示例1,吸收会造成高反带反射率降低,且长波处反射率降低的幅度更大。

 

图片6.png 

给出了薄膜内的驻波场分布。同样可以发现,电场峰值出现膜层交界处,越靠近空气,电场峰值越大。上图中绿色部分的面积和明显小于示例1,这和吸收损耗的公式计算结果一致。

同样,越靠近空气侧,膜层对应的绿色面积越大,意味着此膜层对整体吸收的贡献越大。在上图中,大吸收层出现在外层,但吸收弱于示例1中的第11层,可以预测,示例2具有更高的抗激光损伤阈值。 

示例3:HL^L,消光系数kH分别为0和0.01

图片7.png 

黑粗线为高折射率消光系数为0.01的高反光谱,浅色线为没有吸收的光谱。可以发现,由于最外层为2L,因此高反带的反射率与示例2类似,高于示例1;类似前面示例,吸收会造成高反带反射率降低,且长波处反射率降低的幅度更大。

图片8.png 

给出了薄膜内的驻波场分布。同样可以发现,电场峰值出现膜层交界处,越靠近空气,电场峰值越大。上图中绿色部分的面积类似示例2,但明显小于示例1,这和吸收损耗的公式计算结果一致。

同样,越靠近空气侧,膜层对应的绿色面积越大,意味着此膜层对整体吸收的贡献越大。查看绿色面积,可以发现示例3具有和示例2类似的电场分布,可以预测,相比示例1,示例3具有更加优越的抗激光损伤阈值。

以上三个例子可以看出,同等吸收前提下,三种膜系结构的吸收和光谱特性有明显差异。对其特性总结如下。从光谱角度看,(HL^S H和(HL^S L功效类似,都明显优于(HL^S 。

1:常用三种高反膜堆的光谱特性(仅考虑H有吸收)

 

典型膜堆

最大反射率

整体吸收

最大吸收

吸收层最大电场

1

G|HL^S  |Air

较低

较大

较大

1.5

2

G|HL^S H|Air

更高

较小

较小

0.7

3

G|HL^L|Air

更高

较小

较小

0.7

三、入射方向对吸收性高反膜的影响

对于理想的无吸收薄膜,光从不同介质侧入射,并不会对光谱产生影响。但如果薄膜有吸收,光的如何方向将会对光谱产生明显影响。

对于示例3膜堆,假设高折射率消光系数为0.01,光如果从背面入射,即入射介质更改为Glass。下浅色线为背入射的高反光谱,黑粗线为正入射光谱。可以发现,背入射情况下,很大反射率低了接近1%

图片9.png 

对背入射情况下的电场分布进行了分析。如下图,绿色部分面积和明显大于正入射情况。吸收层的最大电场约为1.7,也明显大于正入射情况下的0.7。

利用正反入射的反射率差,也可以相对精确的估算薄膜的吸收,进而得到材料的消光系数。相比单层膜计算的消光系数,这种方法的精度可能更高。

图片10.png 

四、吸收控制方法

对于常规介质膜,大部分情况下,大家都希望薄膜吸收越小越好。本文将从以下几个方面讲解如何控制薄膜的吸收。

² 膜系设计

从上面示例分析可以看出,薄膜的吸收表现为膜层吸收与电场强度乘积的整体行为。

在相同消光系数前提下,不同的膜系结构由于具有不同的电场分布,因而具有不同的吸收表现。对于常规高反膜堆,最外层H2L具有相对更小的吸收。如果偏离了上述三种规整结构,可以仿照上述案例进行电场分析,利用电场强度分布为指向,降低吸收层的电场强度,从而获得吸收更小的膜系结构。

对于强激光薄膜设计,这种电场调节是必不可少的手段。本文前三部分的内容可以看做是基础铺垫。

² 薄膜材料

不同薄膜材料具有不同的透明区。选择合适的材料,更有利制备出低吸收薄膜。比如对于355nm高反膜要求,优先选择HfO2/SiO2组合,而非TiO2/SiO2组合;因为TiO2355nm的吸收远大于HfO2。

在透明区内有多个膜料组合时,须依据设备条件选定膜料组合,优先选择折射率高且容易氧化的膜料。比如对于700nm的高反要求,如果设备没有离子源,则优先选择TiO2/SiO2,而非HfO2/SiO2组合或Ta2O5/SiO2组合。这是由于在700nm处,虽然HfO2可能吸收更小,但折射率过低;没有高能粒子辅助镀膜,Ta2O5薄膜很难做低吸收。

² 薄膜制备工艺

对于氧化物薄膜,吸收主要来自镀膜过程中的失氧。因此,在真空室内补充适量氧气是必要措施。具体氧气量的多少,需要依据设备抽气性能和镀膜工艺来确定。一般情况下,如果是直径1300mm的设备电子束蒸发TiO2薄膜, 40SCCM的充氧量是最低保障。而SiO2即使不充氧气也不会有明显吸收。

为保证氧化膜能否充分与氧结合,还需要以下措施。提高薄膜的沉积温度,降低薄膜的沉积速率;即提高沉积分子迁移率和增原子的停留时间,以提高沉积分子与氧气碰撞结合的概率。

或者用氧离子辅助镀膜,但需注意两点。一,离子源本身可能带来吸收。二、如果采用氩离子作为轰击离子,分子氧从非离子源通道供应,氧化的效果可能会大打折扣。

对于红外等非氧化物膜料,需要注意防止材料分解造成吸收。造成分解的因素主要是温度和辅助镀膜的高能离子。比如ZnS,很容易在高温时(一般认为临界温度为170℃)分解;比如YbF3,很容易在较大功率离子辅助镀膜时产生吸收。

对于红外等非氧化物膜料,同样需要注意防止膜料被氧化或吸附水分。这在前面的文章有过讨论,这里不再详述。

² 氧化物薄膜的退火工艺

所谓退火,通常是指薄膜在氧氛围条件下,对薄膜按照一定的步骤进行加热和降温的过程。一般情况下,退火温度会高于成膜温度。

适当温度的退火,可以促进薄膜份子二次迁移,从而进一步提高薄膜的氧化程度。

² 薄膜界面吸收

由于薄膜分层结构的特点,以及真空蒸发设备膜层交替动作的特殊性,膜层之间的界面,薄膜与基板的界面,以及薄膜与空气之间的界面,这些界面之间或多或少都会存在一定厚度的过渡层。这些过渡层都会有弱吸收存在。很多情况下,这种吸收不可忽略,甚至有可能会高于薄膜材料的体吸收。

很多镀膜机上这点体现的尤为明显。在给足氧气等保证充分氧化的条件下,氧化物薄膜依然有明显吸收时,很可能就是由于界面吸收引起。

对于这种吸收,可以通过两种方式解决。一是利用薄膜工艺辅助解决;二是改进镀膜机结构和控制程序。后者是小编推崇的根本解决之道。

五、总结

以三种传统高反膜结构((HL)^S H(HL)^S L(HL)^S)为例,对薄膜的吸收计算方法和电场分布分析进行了讲解。

对于足够层数的高反膜,如果高反带的反射率,从短波到长波逐步降低,则说明薄膜存在明显吸收,这种现象可以作为判断薄膜吸收的依据;但需要注意的是,对于采用标准高反镜进行测量光谱的仪器,如果标准镜有明显吸收,测量出的光谱也会有类似形状,可能对损耗来源造成误判。

对于有吸收的高反膜,不同入射方向下,薄膜具有不同的反射特性和吸收特性。薄膜设计时需要考虑实际用途。

对吸收的控制方法进行了简介。选择合适的膜料组合,采用适宜的制备工艺,是控制吸收的根本。在此基础上,利用电场分布为导向,优化膜系设计,可以进一步降低薄膜的整体吸收。至于强激光薄膜,则需要进一步考虑电场在膜层内的分布问题。对于很多机器,界面吸收不可忽略,需要依据具体情况给出针对性的解决方案。

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